導讀：據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，三星在半導體方面發(fā)展有成，與英業(yè)界特爾*差距縮小，或許有望超車英特爾。
　　
　　IHS24日公布，2014年英特爾半導體*達14.2%，衛(wèi)冕市場霸主;三星電子以10.9%*緊追在后，虎視眈眈英特爾的*地位，雙方差距僅剩3.3%。
　　
　　韓國專家認為，三星若能在非內(nèi)存領域加碼購并、放膽投資，有望在四、五年內(nèi)擠下英特爾，篡位為王。
　　
　　三星市占大躍進，主因內(nèi)存表現(xiàn)突出，三星在2013年開發(fā)出3DV-NAND技術，之后又搶先各家，*個跨入20納米DRAM制程。業(yè)界估計，三星半導體部門*季營益將沖上3兆韓元。