1332萬元,中國水稻研究所優(yōu)質(zhì)多抗水稻新品種高通量篩選及智能化選育儀器設(shè)備購置公開招標(biāo)
項(xiàng)目預(yù)算金額1332萬元,采購全自動熒光顯微[詳情]
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榮獲中國半導(dǎo)體市場產(chǎn)品

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公司榮獲“2022-2023年度中國半導(dǎo)體市場產(chǎn)品(新型非易失磁性存儲器)獎”。
傳統(tǒng)的存儲技術(shù),如 SRAM、DRAM、Flash 等在現(xiàn)代電子行業(yè)的確取得了顯著的成就,但是隨著半導(dǎo)體制造工藝接近 20nm 水平,這些傳統(tǒng)技術(shù)的缺陷就越來越明顯。
新型非易失磁性存儲器MRAM由一只MOS管、一只磁隧道結(jié)MTJ和若干連接線組成,制造工藝與目前集成電路工藝兼容,結(jié)構(gòu)簡單和制備工藝費(fèi)用小且工藝可擴(kuò)展性強(qiáng),基于14nm的MRAM工藝已經(jīng)量產(chǎn)。
MRAM具有非易失性、擦寫次數(shù)(1E9~1E14)、容量大等特點(diǎn),而且讀寫信息的損耗小、功耗低、速度快(20ns)。
在用作緩存上,MRAM 由于具有很高的可寫次數(shù)、對軟錯誤的自然免疫力、無備用電源、高的集成密度、非易失性等特點(diǎn),成為片上緩存系統(tǒng)的候選者之一。MRAM 緩存有更低的動態(tài)能量消耗,相比同等容量的 SRAM 緩存,有著更短的信息讀取延遲。
MRAM 的抗輻射性能,可以應(yīng)用在抗惡劣環(huán)境下高性能計算機(jī)或控制系統(tǒng)、數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)。
矽朋微目前已量產(chǎn)和規(guī)劃量產(chǎn)的MRAM容量包含256Kb、2Mb、4Mb、16Mb、64Mb、256Mb。
