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儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】探索第二類外爾半金屬材料并研究其中奇異物性是目前拓?fù)淞孔游锢硌芯恐惺艿綇V泛關(guān)注的領(lǐng)域之一。理論預(yù)言二磷化鎢WP2是第二類外爾半金屬。因?yàn)閃P2中磷原子和過渡族金屬鎢原子之間較大的電荷密度分布差異導(dǎo)致其晶體結(jié)構(gòu)的對稱性難以通過X射線衍射來直接確定,所以作為WP2第二類外爾半金屬態(tài)出現(xiàn)的前提條件之一的空間反演對稱性破缺有待實(shí)驗(yàn)進(jìn)一步證實(shí)。此外,WP2的晶體ac面內(nèi)電阻率的各向異性隨溫度的變化還未被實(shí)驗(yàn)研究,并且其晶體ac面內(nèi)電阻率的各向異性能否被磁場調(diào)控尚不清楚。
拓?fù)淞孔佑嬎闶墙畮啄臧l(fā)展起來的一門新穎的交叉學(xué)科,涉及到量子計算,拓?fù)鋵W(xué),拓?fù)淞孔訄稣,以及含拓(fù)湫虻哪蹜B(tài)物理等。拓?fù)淞孔佑嬎憷枚囿w系統(tǒng)中的拓?fù)淞孔討B(tài)來存儲和操控量子信息,具有內(nèi)在的容錯能力,給量子計算的物理實(shí)現(xiàn)帶來了希望,也促進(jìn)了我們對物質(zhì)拓?fù)淞孔有袨榈奶剿鳌?br />
中國科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國家研究中心條件物理重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室EX1組特聘研究員諶志國指導(dǎo)博士生蘇博、聯(lián)培碩士生侯延輝與合作者開展了WP2的空間反演對稱性和其ac面內(nèi)電阻率各向異性的研究。他們利用轉(zhuǎn)角線偏振拉曼光譜測得WP2中拉曼活性聲子的能量以及聲子峰強(qiáng)與晶體a軸和入射光電場方向之間夾角的關(guān)系均與第一性原理計算其空間反演對稱性破缺的晶體結(jié)構(gòu)(空間群Cmc21)得到的結(jié)果一致。拉曼光譜實(shí)驗(yàn)與理論計算結(jié)果之間的一致表明WP2晶體結(jié)構(gòu)的空間反演對稱性破缺,支持WP2中存在外爾半金屬態(tài)。
拉曼光譜(Raman spectra),是一種散射光譜。拉曼光譜分析法是基于印度科學(xué)家C.V.拉曼(Raman)所發(fā)現(xiàn)的拉曼散射效應(yīng),對與入射光頻率不同的散射光譜進(jìn)行分析以得到分子振動、轉(zhuǎn)動方面信息,并應(yīng)用于分子結(jié)構(gòu)研究的一種分析方法。
一般而言,晶體結(jié)構(gòu)的特征與其電子性質(zhì)密切相關(guān),故他們進(jìn)一步研究了WP2在不同溫度和不同磁場下的ac面內(nèi)電阻率各向異性。低溫電輸運(yùn)測量結(jié)果表明當(dāng)溫度在100 K – 200 K之間,WP2的面內(nèi)電阻率各向異性表現(xiàn)出較弱的溫度依賴,電流分別沿其晶體c軸和a軸的電阻率Rc/Ra的比值約為1.6;但當(dāng)溫度低于100 K時,面內(nèi)電阻率各向異性陡然增大,在溫度為10 K時Rc/Ra ≈ 8.0。進(jìn)一步的電輸運(yùn)測量表明,對WP2施加垂直于其ac面的磁場,可以調(diào)控其面內(nèi)電阻率各向異性的大小,當(dāng)磁場達(dá)到9 T時,其面內(nèi)電阻率比值Rc/Ra可增大至約10.6。因此,在載流子濃度為1021 cm-3的已知第二類外爾半金屬(如MoTe2和TaIrTe4)中,WP2呈現(xiàn)出大的面內(nèi)電阻率各向異性。為探究WP2面內(nèi)電阻率各向異性在低溫陡增的原因,他們測量了其在低溫下的線偏振紅外反射光譜。
紅外光譜對樣品的適用性相當(dāng)廣泛,固態(tài)、液態(tài)或氣態(tài)樣品都能應(yīng)用,無機(jī)、有機(jī)、高分子化合物都可檢測。此外,紅外光譜還具有測試迅速,操作方便,重復(fù)性好,靈敏度高,試樣用量少,儀器結(jié)構(gòu)簡單等特點(diǎn),因此,它已成為現(xiàn)代結(jié)構(gòu)化學(xué)和分析化學(xué)常用和不可缺少的工具。紅外光譜在高聚物的構(gòu)型、構(gòu)象、力學(xué)性質(zhì)的研究以及物理、天文、氣象、遙感、生物、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域也有廣泛的應(yīng)用。
紅外光譜測量結(jié)果表明,隨著溫度的降低,WP2的載流子濃度和有效質(zhì)量均表現(xiàn)出較弱的溫度依賴,但其ac面內(nèi)散射率各向異性在溫度100 K以下突然增強(qiáng),且與面內(nèi)電阻率各向異性隨溫度變化的情況一致。因金屬的電阻率R一般由其載流子濃度n,載流子有效質(zhì)量m*和散射率τ決定:R = m*/(e2nτ), 故WP2的低溫線偏振光譜結(jié)果說明其面內(nèi)電阻率各向異性在低溫的陡然增大來源于其面內(nèi)散射率各向異性的突然增強(qiáng)。以上研究工作為將來利用第二類外爾半金屬的電阻率各向異性發(fā)展新型
電子元器件打下了基礎(chǔ)。
第二類外爾半金屬是外爾半金屬概念的推廣,其特征是在外爾點(diǎn)附近的狄拉克錐是傾斜的,因此相應(yīng)的電子色散關(guān)系在外爾點(diǎn)附近不滿足洛倫茨變換對稱性。理論上預(yù)言第二類外爾半金屬有二個實(shí)驗(yàn)特征:(1)外爾點(diǎn)附近傾斜的電子色散關(guān)系;(2) 各向異性的負(fù)磁阻,即在ab-面僅有一個方向上存在由于ABJ-效應(yīng)導(dǎo)致的負(fù)磁阻。WTe2是第一個理論預(yù)言的第二類外爾半金屬材料。
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